PVD：

　　用物理方法(如蒸發(fā)、濺射等)，使鍍膜材料汽化在基體表面，沉積成覆蓋層的方法。

　　CVD：

　　用化學(xué)方法使氣體在基體材料表面發(fā)生化學(xué)反應并形成覆蓋層的方法。

　　區別：

　　化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱(chēng)CVD)是反應物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反應，生成固態(tài)物質(zhì)沉積在加熱的固態(tài)基體表面，進(jìn)而制得固體材料的工藝技術(shù)。它本質(zhì)上屬于原子范疇的氣態(tài)傳質(zhì)過(guò)程。

　　與之相對的是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱(chēng)CVD)，指利用物理過(guò)程實(shí)現物質(zhì)轉移，將原子或分子由源轉移到基材表面上的過(guò)程。它的作用是可以使某些有特殊性能（強度高、耐磨性、散熱性、耐腐性等）的微粒噴涂在性能較低的母體上，使得母體具有更好的性能。