PVD工藝關(guān)于薄膜均勻性的概念：

　　

　　1。厚度均勻性也可以是粗糙的。在光學(xué)膜標準中，波長(cháng)單位為1/10，約100A。真空涂層的均勻性非常好，并且可以容易地降低粗糙度。 控制程度在可見(jiàn)光波長(cháng)的1/10范圍內，這意味著(zhù)對于薄膜的光學(xué)特性，真空鍍膜沒(méi)有障礙。但是，如果指原子層標準上的均勻性，也就是說(shuō)要達到10A甚至1A的外觀(guān)平整度，這是此時(shí)真空鍍膜的主要技能內容和技能瓶頸。詳細的控制因素將根據不同的鍍膜給出。

　　

　　2.化學(xué)組成的均質(zhì)性：也就是說(shuō)，在膜中，由于標準太小，化合物的原子組成將容易出現不均勻的特性。對于SiTiO3薄膜，如果涂覆工藝不科學(xué)，則組件的實(shí)際外觀(guān)不是SiTiO3，而是其他比例。鍍膜不是所需膜的化學(xué)特性。這也是真空鍍膜的技能含量地址。

　　

　　3。晶格順序的對稱(chēng)性：此選擇確定薄膜是否為單晶，中岳鈦金，多晶，非晶，這是真空鍍膜技術(shù)中的熱門(mén)問(wèn)題。

　　

　　主要有兩類(lèi)：蒸發(fā)沉積和濺射沉積涂層，包括許多詳細類(lèi)型，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，溶膠凝膠法等。

　　

　　一、處理蒸發(fā)涂層：通常，將目標加熱以使外觀(guān)成分以原子團或離子的形式蒸發(fā)，并沉積在基材的外觀(guān)上。通過(guò)成膜過(guò)程，分散點(diǎn)-島嶼布局-迷宮布局-層發(fā)展。

　　

　　

　　厚度勻稱(chēng)性主要取決于：

　　

　　1、基片質(zhì)料與靶材的晶格匹配水平

　　

　　2、基片外貌溫度

　　

　　3、蒸發(fā)功率，速率

　　

　　4、真空度

　　

　　5、鍍膜時(shí)間，厚度巨細。

　　

　　組分勻稱(chēng)性： 蒸發(fā)鍍膜組分勻稱(chēng)性不是很容易擔保，詳細可以調控的因素同上，可是由于道理所限，對付非單一組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分勻稱(chēng)性欠好。

　　

　　晶向勻稱(chēng)性：

　　

　　1、晶格匹配度

　　

　　2、基片溫度

　　

　　3、蒸發(fā)速率

　　

　　二、對于基于濺射的鍍膜，您可以簡(jiǎn)單地理解電子或高能激光轟擊目標的操作，并使外觀(guān)成分以原子團或離子的形式濺射出來(lái)，最后沉積在基材上出現。體驗成膜過(guò)程， 最后形成薄膜。

　　

　　濺射鍍膜分為許多類(lèi)型。一般而言，與蒸發(fā)鍍膜的區別在于濺射速率將成為主要參數之一。濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜易于保持組成的均勻性，并且原子標準厚度的均勻性相對較差，因為它是脈沖濺射，并且晶體沿外邊緣的生長(cháng)控制也很差比較普通。

　　

　　以pld為例，這些因素主要包括：靶與基板的晶格匹配程度，涂覆氣氛，低壓氣體氣氛，基板溫度，激光功率，脈沖頻率和濺射時(shí)間。

　　

　　對于不同的濺射材料和基板，需要確定最佳參數。他們沒(méi)有溝通。涂覆設備的優(yōu)缺點(diǎn)主要取決于是否可以精確控制溫度，是否可以保證良好的真空度以及是否可以保證良好的真空腔室清潔度。