1. PVD簡(jiǎn)介

PVD是英文Physical Vapor Deposition（物理氣相沉積）的縮寫(xiě)，是指在真空條件下，采用低電壓、大電流的電弧放電技術(shù)，利用氣體放電使靶材蒸發(fā)并使被蒸發(fā)物質(zhì)與氣體都發(fā)生電離，利用電場(chǎng)的加速作用，使被蒸發(fā)物質(zhì)及其反應產(chǎn)物沉積在工件上。

2. PVD技術(shù)的發(fā)展

PVD技術(shù)出現于二十世紀七十年代末，制備的薄膜具有高硬度、低摩擦系數、很好的耐磨性和化學(xué)穩定性等優(yōu)點(diǎn)。最初在高速鋼刀具領(lǐng)域的成功應用引起了世界各國制造業(yè)的高度重視，人們在開(kāi)發(fā)高性能、高可靠性涂層設備的同時(shí)，也在硬質(zhì)合金、陶瓷類(lèi)刀具中進(jìn)行了更加深入的涂層應用研究。與CVD工藝相比，PVD工藝處理溫度低，在600℃以下時(shí)對刀具材料的抗彎強度無(wú)影響；薄膜內部應力狀態(tài)為壓應力，更適于對硬質(zhì)合金精密復雜刀具的涂層；PVD工藝對環(huán)境無(wú)不利影響，符合現代綠色制造的發(fā)展方向。目前PVD涂層技術(shù)已普遍應用于硬質(zhì)合金立銑刀、鉆頭、階梯鉆、油孔鉆、鉸刀、絲錐、可轉位銑刀片、異形刀具、焊接刀具等的涂層處理。

PVD技術(shù)不僅提高了薄膜與刀具基體材料的結合強度，涂層成分也由第一代的TiN發(fā)展為T(mén)iC、TiCN、ZrN、CrN、MoS2、TiAlN、TiAlCN、TiN-AlN、CNx、DLC和ta－C等多元復合涂層。

3. 星弧涂層的PVD技術(shù)

增強型磁控陰極?。宏帢O弧技術(shù)是在真空條件下，通過(guò)低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態(tài)，從而完成薄膜材料的沉積。增強型磁控陰極弧利用電磁場(chǎng)的共同作用，將靶材表面的電弧加以有效地控制，使材料的離化率更高，薄膜性能更加優(yōu)異。

過(guò)濾陰極?。哼^(guò)濾陰極電弧(FCA )配有高效的電磁過(guò)濾系統，可將離子源產(chǎn)生的等離子體中的宏觀(guān)粒子、離子團過(guò)濾干凈，經(jīng)過(guò)磁過(guò)濾后沉積粒子的離化率為100%，并且可以過(guò)濾掉大顆粒， 因此制備的薄膜非常致密和平整光滑，具有抗腐蝕性能好，與機體的結合力很強。

磁控濺射：在真空環(huán)境下，通過(guò)電壓和磁場(chǎng)的共同作用，以被離化的惰性氣體離子對靶材進(jìn)行轟擊，致使靶材以離子、原子或分子的形式被彈出并沉積在基件上形成薄膜。根據使用的電離電源的不同，導體和非導體材料均可作為靶材被濺射。

離子束DLC：碳氫氣體在離子源中被離化成等離子體，在電磁場(chǎng)的共同作用下，離子源釋放出碳離子。離子束能量通過(guò)調整加在等離子體上的電壓來(lái)控制。碳氫離子束被引到基片上，沉積速度與離子電流密度成正比。星弧涂層的離子束源采用高電壓，因而離子能量更大，使得薄膜與基片結合力很好；離子電流更大，使得DLC膜的沉積速度更快。離子束技術(shù)的主要優(yōu)點(diǎn)在于可沉積超薄及多層結構，工藝控制精度可達幾個(gè)埃，并可將工藝過(guò)程中的顆料污染所帶來(lái)的缺陷降至最小。