PVD真空鍍膜過(guò)程非常復雜，由于鍍膜原理的不同分為很多種類(lèi)，僅僅因為都需要高真空度而擁有統一名稱(chēng)。所以對于不同原理的蘇州PVD真空鍍膜，影響均勻性的因素也不盡相同。并且均勻性這個(gè)概念本身也會(huì )隨著(zhù)鍍膜尺度和薄膜成分而有著(zhù)不同的意義。

薄膜均勻性的概念：
    1.厚度上的均勻性，也可以理解為粗糙度，在光學(xué)薄膜的尺度上看(也就是1/10波長(cháng)作為單位，約為100A)，真空鍍膜的均勻性已經(jīng)相當好，可以輕松將粗糙度控制在可見(jiàn)光波長(cháng)的1/10范圍內，也就是說(shuō)對于薄膜的光學(xué)特性來(lái)說(shuō)，真空鍍膜沒(méi)有任何障礙。
    但是如果是指原子層尺度上的均勻度，也就是說(shuō)要實(shí)現10A甚至1A的表面平整，是現在江蘇PVD真空鍍膜中主要的技術(shù)含量與技術(shù)瓶頸所在，具體控制因素下面會(huì )根據不同鍍膜給出詳細解釋。

2.化學(xué)組分上的均勻性：
    就是說(shuō)在薄膜中，化合物的原子組分會(huì )由于尺度過(guò)小而很容易的產(chǎn)生不均勻特性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜過(guò)程不科學(xué)，那么實(shí)際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學(xué)成分，這也是真空鍍膜的技術(shù)含量所在。

3.晶格有序度的均勻性：
    這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技術(shù)中的熱點(diǎn)問(wèn)題，具體見(jiàn)下。

主要分類(lèi)有兩個(gè)大種類(lèi)：
    蒸發(fā)沉積鍍膜和濺射沉積鍍膜，具體則包括很多種類(lèi)，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，溶膠凝膠法等等

一、對于蒸發(fā)鍍膜：
    一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發(fā)出來(lái)，并且沉降在基片表面，通過(guò)成膜過(guò)程(散點(diǎn)-島狀結構-迷走結構-層狀生長(cháng))形成薄膜。
厚度均勻性主要取決于：
1、基片材料與靶材的晶格匹配程度
2、基片表面溫度
3、蒸發(fā)功率，速率
4、真空度
5、江蘇PVD真空鍍膜鍍膜時(shí)間，厚度大小。
組分均勻性：
    蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單一組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。
晶向均勻性：
1、晶格匹配度
2、基片溫度
3、蒸發(fā)速率

二、.對于濺射類(lèi)鍍膜，可以簡(jiǎn)單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來(lái)，并且最終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過(guò)程，最終形成薄膜。
    濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發(fā)鍍膜的不同點(diǎn)在于濺射速率將成為主要參數之一。
    濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差(因為是脈沖濺射)，晶向(外沿)生長(cháng)的控制也比較一般。以pld為例，因素主要有：靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時(shí)間。對于不同的濺射材料和基片，最佳參數需要實(shí)驗確定，是各不相同的，鍍膜設備的好壞主要在于能否精確控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。MBE分子束外沿鍍膜技術(shù)，已經(jīng)比較好的解決了如上所屬的問(wèn)題，但是基本用于實(shí)驗研究，工業(yè)生產(chǎn)上比較常用的一體式鍍膜機主要以離子蒸發(fā)鍍膜和磁控濺射鍍膜為主。